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中欣晶圆取得通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法...金融界2024年9月26日消息,国家知识产权局信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司取得一项名为“通过高温退火方式调控硅片背面光泽度的控制系统及方法”的专利,授权公告号 CN 114334717 B,申请日期为 2021年11月。

...医院有限公司取得一种折弯吸脂针专利,便于针对机体背面脂肪的抽取管调节位于折弯端最内部,用以锁定所有连接节,保证针体在穿刺过程中的硬度,而在刺入组织后,可通过抽拉调节管,使端部的部分连接节可活动,然后调节对应方向的收卷轮,通过收卷轮上的调节绳,抽动最顶部的连接节偏移,实现吸脂针位于组织内部的弯折,便于针对机体背面脂肪的抽取。

￣□￣｜｜ 中欣晶圆申请改善背封硅片背面晶点的工艺方法专利,解决了背封硅片...杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“改善背封硅片背面晶点的工艺方法“,公开号CN202410675591.6,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,本发明涉及一种改善背封硅片背面晶点的工艺方法,所属硅片加工技术领域,包括如下操作步骤:第一步:对硅片背面进行BSD加工,将含...